|
تفاصيل المنتج:
|
| معدل البيانات (جيجابت في الثانية): | 10 جيجابت في الثانية | الطول الموجي: | Tx1270nm / Rx1330nm |
|---|---|---|---|
| موصل بصري: | LC / SC | نوع المرسل: | DFB |
| نوع المستقبل: | دبوس | حساسية: | <-16 ديسيبل |
| الكلمات الدالة: | 10G BOSA 1270nm ، الجمعية الفرعية البصرية LC SC | ||
| إبراز: | التجميع الفرعي البصري LC SC,التجميع الفرعي البصري RX1330nm,التجميع الفرعي البصري ثنائي الاتجاه |
||
10Gبت في الثانيةLC SC WDM BOSA TX1270nm DFB/RX1330nm PINالجمعية الفرعية البصرية ثنائية الاتجاه
وصف
تم تصميم BOSA-T1270DFB-R1330PIN-10G-LC-REC من GIGAOPTO للاتصالات ، ودعم معدل نقل البيانات حتى 10 جيجابت في الثانية.يستخدم جانب جهاز الإرسال ليزر DFB بحجم 1270 نانومتر.يستخدم الجانب المستقبل PIN 1330nm مع TIA.
التقييمات القصوى المطلقة (ح = 25 ℃)
| معامل | رمز | دقيقة. | الأعلى. | وحدة |
| الجهد العكسي (LD) | الخامسRL | - | 2 | الخامس |
| التيار الأمامي (LD) | IFL | - | 120 | مللي أمبير |
| الجهد العكسي (MPD) | الخامسبحث وتطوير | - | 15 | الخامس |
| التيار الأمامي (MPD) | أناFد | - | 2 | مللي أمبير |
| جهد التشغيل TIA | الخامسنسخة | +3.0 | +3.6 | الخامس |
| درجة حرارة حالة التشغيل | تيج | -40 | +85 | ℃ |
| درجة حرارة التخزين | تيSTG | -40 | +85 | ℃ |
| درجة حرارة لحام الرصاص (بحد أقصى 10 ثوانٍ) | تيس | - | 260 | ℃ |
| LD TO-can Pull Force | - | 30 | - | كغف |
| PD TO- يمكن سحب القوة | - | 15 | - | كغف |
| قوة القص | - | 30 | - | كغف |
بصري&الخصائص الكهربائية
| معامل | رمز | دقيقة. | النوع. | الأعلى. | وحدة | شرط الاختبار |
| المرسل(TC = 25 ± 3 ℃) | ||||||
| عتبة الحالية | أناالعاشر | - | 8 | 15 | مللي أمبير | سي دبليو ، تيج= 25 |
| - | 15 | 30 | CW ، TC = 85 أوم | |||
| انتاج الطاقة الضوئية | صF | 0.8 | - | 1.6 | ميغاواط | CW ، Iop = 35mA ، Tc = 25 |
| جهد التشغيل | الخامسF | - | 1.2 | 1.8 | الخامس | CW ، Iop ＝ 35 مللي أمبير |
| صعود / سقوط الوقت | Tr / Tf | - | - | 120 | ملاحظة |
PF = 5.0 ميجاوات ، انقراض نسبة> 10 ديسيبل ، 20٪ -80٪ ، بدون مرشح |
| مركز الطول الموجي | ص | 1260 | 1270 | 1280 | نانومتر | Iop = 30mA ، Tc = 25 |
| عرض الطيف (RMS) | Δλ | - | - | 1 | نانومتر | Iop = 30mA ، TC = -40 ℃ ~ 85 ℃ |
| مراقبة الحالية | انا | 100 | - | 1000 | μA | Vrd = 5 فولت |
| SMSR | - | 30 | 35 | - | ديسيبل | Iop = 30mA ، TC = -40 ℃ ~ 85 ℃ |
| السعة PD | ج | - | 3 | 10 | ص | Vrd = 5V @ f = 1 ميجا هرتز |
| متابعة الخطأ | TE | -1.5 | - | 1.5 | ديسيبل |
CW ، -40 درجة / + 85 درجة ، مونتيور عقد الحالي @ Iop = 35mA |
| المتلقي(TC = 25 ± 3 ℃) | ||||||
| مصدر التيار | الخامسنسخة | 3.0 | 3.3 | 3.6 | الخامس | CW |
| تيار العرض TIA | أنانسخة | 15 | 27 | 39 | مللي أمبير | Vcc = 3.3 فولت |
| الطول الموجي البصري | λ | 1310 | 1330 | 1350 | نانومتر | CW |
| حساسية | السناتور. | - | - | -16 | ديسيبل |
λ = 1330 نانومتر ، PRBS = 2 ^ 31-1 ، BER = 10-12 ، ER = 10 ديسيبل ، @ 10 جيجابت في الثانية |
| قوة التشبع | بسات | 0 | - | - | ديسيبل | |
| استجابة PD | ص | 0.7 | - | - | أ / دبليو | CW ، λ = 1330 نانومتر ؛ |
سمات
طلب
اساسي
رسم مخطط تفصيلي (الوحدة: مم)
اتصل شخص: Ophelia Feng
الهاتف :: +86 15882203619
